四川在线记者 文露敏 发自安徽合肥
9月20日，四川在线记者从2026世界制造业大会上获悉，长鑫存储在第五代DRAM技术平台已实现量产，平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，中国企业在高端存储技术路线上实现里程碑式突破。基于该平台打造的24Gb LPDDR5X产品已经进入正式量产，进入国产主流旗舰手机。
发布现场
DRAM（动态随机存取存储器）是一种半导体存储器，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。2026年，AI算力需求、大厂资本投入持续带动存储芯片需求，有行业研报显示，“市场正面临15年来最严重的存储芯片供应短缺”。
长鑫科技集团股份有限公司副总裁骆晓东介绍，第五代技术平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术，把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将平台核心功能区高度缩小到6762纳米。
同时，平台微缩工艺的突破推动存储密度实现跨越式提升：每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。
巧合的是，企业第一代技术平台也是在2019年的世界制造业大会上官宣的。当时，长鑫存储内存芯片自主制造项目正式投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相。
7年后的2026年7月，长鑫科技正式登陆科创板，上市首日市值突破3.28万亿元，登顶A股市值榜首。招股说明书显示，其是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。2026年上半年，伴随着本轮全球存储芯片价格的持续暴涨，长鑫科技业绩实现跨越式反转，彻底扭转此前经营颓势。
“未来，我们将持续面向全球市场需求推进技术迭代，推出更高性能、更高可靠性的存储产品。”骆晓东表示，公司将继续为全球数字产业发展提供坚实的底层存储支撑。
